(资料图片)
5 月 30 日消息，海力士宣布已经完成了1bnm 的开发，这是 10 纳米工艺技术的第五代，并对针对英特尔至强处理器的 DDR5 产品的内存程序进行验证。
海力士的 DRAM 开发主管 Jonghwan Kim 说，1bnm 将在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等产品所采用。
英特尔内存和 IO 技术副总裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特尔一直在与内存行业合作，以确保 DDR5 内存在英特尔至强可扩展平台上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一个针对下一代英特尔至强可扩展平台和英特尔数据中心认证内存程序的一代产品。
与此同时，海力士还表示，应用于下一代英特尔至强可扩展平台的1anm DDR5（其中第一个兼容性测试已经完成）也正在进行中。
IT之家附海力士发展与 DDR5 产品的历史：
2020 年 10 月推出 DDR5
2021 年 12 月首批 24 Gb DDR5 样品出货
2023 年 1 月获得 1anm DDR5 的英特尔服务器验证
2023 年 4 月向英特尔提供服务器 1bnm DDR5 样品
